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在新型半導體領域,北京大學團隊和美國麻省理工學院團隊或許可被稱作是“雙雄”一般的存在。而北京大學彭練矛院士的學生、北京大學博士畢業生、目前正在美國麻省理工學院從事博士后研究的姜建峰,繼以第一作者身份在 Nature 發表彈道輸運的硒化銦晶體管研究后,姜建峰近期又以通訊作者兼共同一作的身份,在 Science 發表了關于晶圓級集成硒化銦半導體的重要成果。該系列工作不僅進一步推動了超高性能二維器件的可制造性與系統集成化發展,也引起了業界廣泛關注,并于近期收到了英特爾公司以及美國半導體研究聯盟的演講邀請。
在此前發表在于 Nature 的研究中,他和合作者構建出一種基于硒化銦的理想彈道輸運晶體管,在單個器件層面首次實現能效超越硅基技術,從實驗角度回答了二維器件是否能超越硅的核心科學問題。
而在最新發表于 Science 的工作中,他和合作者再次實現關鍵性突破,攻克了硒化銦半導體集成制造的難題,首次將二維硒化銦器件從“單器件”推向“晶圓級平臺”,成功實現大面積可集成的二維電子器件,為后摩爾時代的芯片技術打開了新的可能。 |