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據(jù)報(bào)道,上海交通大學(xué)密西根學(xué)院但亞平課題組研究發(fā)現(xiàn),自組裝單分子膜摻雜會(huì)在硅襯底引入碳缺陷,從而降低硅中磷雜質(zhì)的電學(xué)激活率。研究人員由此提出了自組裝單分子膜摻雜技術(shù)的研究方向,為發(fā)展無(wú)缺陷態(tài)的單分子膜摻雜技術(shù)奠定了基礎(chǔ)。相關(guān)成果日前發(fā)表于《自然—通訊》雜志。
傳統(tǒng)的離子注入摻雜依賴高能離子轟擊半導(dǎo)體晶體實(shí)現(xiàn),半導(dǎo)體晶體常遭到破壞。其電學(xué)性能因此惡化,而且雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體內(nèi)隨機(jī)分布,無(wú)法滿足當(dāng)前先進(jìn)集成電路制造工藝的需求。自組裝單分子膜摻雜不會(huì)在半導(dǎo)體中引入物理?yè)p傷,而且可精確控制雜質(zhì)分布。該技術(shù)在超淺結(jié)的形成、雜質(zhì)劑量的控制、復(fù)雜幾何結(jié)構(gòu)的摻雜以及單個(gè)雜質(zhì)原子的大規(guī)模操控等方面擁有巨大的潛在優(yōu)勢(shì),但有機(jī)分子載體可能在半導(dǎo)體中引入碳缺陷,從而惡化器件的電學(xué)特性。
但亞平課題組首次采用低溫霍爾效應(yīng)和深能級(jí)瞬態(tài)譜等技術(shù),直接觀測(cè)到碳缺陷,并對(duì)碳缺陷態(tài)本身及其產(chǎn)生的電學(xué)影響進(jìn)行了深入研究。 |